В помощь радиолюбителю: маркировка РЭ, компьютерные интерфейсы и кабели, справочник РЭ
Интерфейсы: интерфейс sata, интерфейс ide, интерфейс rs232, интерфейс usb, интерфейс ethernet; шины: шина pci, шина isa, шина agp, шина scsi; распиновка разъемов, схема кабеля, распайка кабелей, обжим кабеля; кодовая и цветовая маркировка диодов, конденсаторов, индуктивностей, резисторов, стабилитронов, транзисторов, варикапов и много другой полезной информации.
В помощь радиолюбителю: маркировка РЭ, компьютерные интерфейсы и кабели, справочник РЭ
Поиск по сайту:
Навигация
Главная
Маркировка РЭ
Интерфейсы
Шины
Кабели
Заглушки
Справочники
Варикапы
Диоды
Микросхемы
Стабилитроны
Новости электроники
Каталог схем
Полезная информация
Книжная лавка
Словарь терминов
Обратная связь
Последние новости
06.12.2016 г. Microchip приступила к серийному выпуску своего первого семейства 32-разрядных микроконтроллеров PIC32MZ EF автомобильного назначения.

Microchip приступила к серийному выпуску своего первого семейства 32-разрядных микроконтроллеров PIC32MZ EF автомобильного назначения. Чипы нового семейства работают на частоте ядра до 250 МГц, включают блок вычислений с плавающей запятой, широкой набор периферии и возможностей связи, в том числе интерфейс...
06.12.2016 г. Фирма Maxim представила микроконтроллер ARM Coterx-M4F с аппаратными средствами для защиты интеллектуальной собственности, алгоритмов и пользовательских данных в схемах носимой электроники.

Фирма Maxim представила микроконтроллер ARM Coterx-M4F с аппаратными средствами для защиты интеллектуальной собственности, алгоритмов и пользовательских данных в схемах носимой электроники. Потребление мощности в активном режиме – 127 мкВт/МГц, в режиме глубокого сна – 3,5 мкВт (заявлено как наименьшее...
05.12.2016 г. Суперрешетка из одноатомных магнитов - устройство хранения информации с максимально возможной плотностью

Ученые из Швейцарского федерального политехнического университета Лозанны (Swiss Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, EPFL) создали опытный образец так называемой суперрешетки, матрицы одноатомных магнитов, упорядоченных с высокой точностью на поверхности графенового основания.
Партнеры
Яндекс.Метрика

Справочники / Стабилитроны



Стабилитроны - полупроводниковые диоды, предназначенные для стабилизации напряжения в источниках питания. Кремниевые стабилитроны работают в режиме обратимого лавинного или туннельного пробоя. По сравнению с обычными диодами двухэлектродные стабилитроны имеют достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и могут поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока.

Пробойный режим не связан с инжекцией не основных носителей заряда, поэтому в стабилитроне инжекционные явления, связанные с накоплением и рассасыванием носителей заряда при переходе из области пробоя в область запирания и обратно, практически отсутствуют. Это позволяет использовать их в импульсных схемах в качестве фиксаторов уровней и ограничителей, например импульсные стабилитроны КС175Е, КС182Е, КС191Е, КС210Е, КС211Е, КС212Е, КС213Е и импульсные ограничители 2С101 - 2С291, Д818.

Подробнее характеристики стабилитронов можно посмотреть ниже:


Полупроводниковые стабилитроны имеют следующие виды:
  • прецизионные стабилитроны, обладающие повышенной стабильностью напряжения стабилизации (2С191, КС211, КС520);
  • двусторонние стабилитроны, обеспечивающие стабилизацию и ограничение двухполярных напряжений, (2С170А, 2С182А);
  • быстродействующие стабилитроны, имеющие сниженное значение барьерной ёмкости (десятки пФ) и малую длительность переходного процесса (единицы нс), что позволяет стабилизировать и ограничивать кратковременные импульсы напряжения (2С175Е, КС182Е, 2С211Е).
Полупроводниковые стабилитроны характеризуются следующими основными параметрами:
  • напряжение стабилизации Uст. - напряжение на стабилитроне при заданном токе;
  • минимально допустимый ток стабилизации Iст.мин. - ток, при котором пробой становится устойчивым и обеспечивается заданная надежность работы;
  • максимально допустимый ток стабилизации Iст.макс. - ток, при котором достигается максимально допустимая рассеиваемая мощность Рмах;
  • дифференциальное сопротивление rст.диф. - определяется отношением приращения напряжения на стабилитроне к вызвавшему его малому приращению тока: rст.диф.= ΔUст./ΔIст.;
  • температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН стабилизации) - определяется отношением относительного измерения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды (%, 10С): σТКН = ΔUст./ (Uст.ΔТ).
Низковольтные стабилитроны (с напряжением Uст. менее 6 В) выполняют на основе сильнолегированного кремния с малым удельным сопротивлением. В них возникает узкий р-n переход с высокой напряженностью поля, при которой получается туннельный пробой.

Низковольтные диоды с туннельным пробоем имеют отрицательный ТКН, так как вероятность туннельного пробоя возрастает с повышением температуры. При Uст. менее 6 В пробой принимает лавинный характер, а повышение температуры вызывает увеличение напряжения стабилизации, т.е. ТКН положительный.

Высоковольтные стабилитроны изготовляют на основе слаболегированного кремния с высоким удельным сопротивлением. В них ширина перехода больше, напряженность поля меньше, чем в низковольтных, а характер пробоя меняется на лавинный.

Для стабилизации напряжения разной полярности выпускаются симметричные стабилитроны, имеющие симметричную вольт-амперную характеристику (ВАХ), например, двуханодные стабилитроны 2С162А, КС113Б и др. Они применяются в качестве элементов для двухстороннего ограничения напряжения, могут использоваться так же, и как опорные стабилитроны (2С170А, КС170А). Для получения симметричной ВАХ с двух сторон пластинки кремния одновременно формируют два р-n перехода. При подаче напряжения на крайние области структуры эти переходы оказываются включенными встречно.

Для уменьшения ТКН стабилизации выпускаются термокомпенсированные стабилитроны, в которых соединены последовательно стабилитрон и р-n переход, включенный в прямом направлении. С повышением температуры падение напряжения на p-n-переходе, включенном в прямом направлении, уменьшается, а на обратно-смещенном р-n переходе при лавинном пробое растет. Таким способом, термокомпенсированные стабилитроны (например, КС211) получают малый ТКН.

Стабисторы

Стабисторы - полупроводниковые диоды, в которых для стабилизации напряжения используется прямая ветвь ВАХ. Полупроводниковые стабисторы используют кремний с относительно большой концентрацией примесей. В отличие от стабилитронов стабисторы имеют малое напряжение стабилизации (кремниевые стабисторы - около 0.7 В, германиевые стабисторы - 0.4 В). Кроме кремниевых и германиевых стабисторов промышленность выпускает и селеновые поликристаллические стабисторы, которые отличаются простотой изготовления и меньшей стоимостью. Однако, селеновые стабисторы имеют меньший гарантированный срок службы (1000 ч) и узкий диапазон рабочих температур. Последовательное соединение двух или трех стабисторов дает возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации.

Параметры стабисторов аналогичны параметрам стабилитронов, а их максимальные ток, мощность и тепловые параметры аналогичны тем, которые имеют выпрямительные диоды. Стабисторы имеют отрицательный ТКН стабилизации. В связи с этим стабисторы используют для температурной компенсации стабилитронов с положительным коэффициентом напряжения стабилизации.



Книги по электронике

Сегодня в продаже:
  • Охрана труда в малом бизнесе. Ремонт бытовой техникиОхрана труда в малом бизнесе. Ремонт бытовой техники
    Издательство: Альфа-Пресс. Год: 2009.

    Пособие предназначено для руководителей малых предприятий, осуществляющих ремонт бытовой техники или ремонт квартир по заказам населения. Приводятся основные требования в области охраны труда и обеспечения его безопасности в соответствии с действующими нормативными правовыми актами по охране труда и порядок их выполнения. Может использоваться соответствующими органами исполнительной власти субъектов Российской Федерации, в том числе ведающими вопросами...

  • Программный ремонт сотовых телефонов Samsung и MotorolaПрограммный ремонт сотовых телефонов Samsung и Motorola
    Издательство: Солон-пресс. Год: 2008. Серия: Ремонт.

    Эта книга является логическим продолжением первой книги издательств "Ремонт и Сервис 21" и "СОЛОН-ПРЕСС" (серия РЕМОНТ, выпуск 93) по теме программного ремонта сотовых телефонов. В этом издании приводятся материалы по инженерному программированию и ремонту более 120 моделей телефонов SAMSUNG и около 100 - MOTOROLA...


Наверх